成功的基材偏置的關鍵是使用一個能夠承受HiPIMS放電產生的高離子通量的偏置單元，從而保持所需的偏置電壓。使用我們的HiPSTER偏置解決方案的優勢在于在HiPIMS脈沖期間將基材偏置與金屬離子豐富的部分同步。這通常通過稍微延遲脈沖偏置來實現，以抑制惰性氣體離子轟擊，優先考慮主要的金屬離子。脈沖偏置信號必須使用我們的HiPSTER同步單元與HiPIMS脈沖同步。
高功率脈沖磁控濺射偏置電壓
Ionautics Hipster偏壓的特點
- 脈沖偏置操作可實現對離子加速到基材的完全控制
- 可以簡單與一個或多個HiPIMS放電同步，并在整個脈沖過程中保持偏置電壓
- 寬范圍的偏置電壓范圍還允許在沉積前對基材進行等離子體刻蝕
- 將金屬離子與氣體離子誘導的效應分離的可能性使得可以在低溫下生長具有較大晶粒尺寸、強優選取向、高硬度和低應力的單相亞穩合金
Ionautics Hipster偏壓的主要應用
- 硬涂層（Hard Coating）:通過反應物沉積形成更光滑、更致密的化合物涂層；以達到增加表面硬度、更耐腐蝕、降低摩擦等作用
- 光學涂層（Optical Coating）：改善光學性能；如：更平滑的表面、更致密的結構
- 擴散屏障（Diffusion barriers）：HiPIMS形成的更高涂層密度，確保更有效的屏障效果
- 電氣涂層（Electrical Coating）：改善導電性，以至可以降低涂層厚度和減少熱負荷；當然，也可以改善絕緣性能
- 3-D涂層（3-D Coating）：在復雜形狀的表面形成均勻的薄膜涂層
