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雙極性脈沖磁控濺射源

雙極性脈沖磁控濺射電源是基于新一代磁控濺射技術(shù),在極富經(jīng)驗(yàn)的沉積專家努力下,設(shè)計(jì)出在等離子工藝開發(fā)和薄膜沉積方面擁有初設(shè)的追索性能,以生成穩(wěn)健且可重復(fù)的 HiPIMS 工藝。

主要特設(shè)
  • 固有離子加速功能

    雙極性電源實(shí)現(xiàn)離子加速,無需附加基板偏置

  • 極強(qiáng)的穩(wěn)定性和魯棒性

    特有的放電過程控制,具有恒定的電壓以及干凈的波形(無振蕩)

  • 支持外部觸發(fā)

    支持外部觸發(fā)控制,可通過主從配置,實(shí)現(xiàn)多臺(tái)級(jí)聯(lián)使用

  • 與直流電源松耦合

    雙極性的Biploar Hipster可以匹配任意的前級(jí)直流電源(正負(fù)DC直流源各一臺(tái)),也可以匹配Ionautics的專用直流電源。

  • 反應(yīng)過程控制

    “反應(yīng)過程控制”選件,可以幫助過渡模式的穩(wěn)定運(yùn)行,對(duì)保持化學(xué)計(jì)量組成的反應(yīng)氣流具有較大的容忍。

雙極性脈沖源主要參數(shù)

HiPSTER 輸出

平均功率:1000W
峰值電流:100A
調(diào)整模式:電壓、電流、功率、脈沖電流
脈沖頻率:50 – 10 KHz (外部觸發(fā)時(shí),重復(fù)頻率范圍更寬)
起弧控制:< 2 us 反應(yīng)時(shí)間

負(fù)脈沖指標(biāo)

輸出峰值電壓:1000 V
輸出峰值電流:100 A
輸出脈沖寬度:3 us? ~ 1000 us

Hipster尺寸

19寸機(jī)箱(3U)
135 mm (H) x 483 mm (W) x 390mm (D)
凈重:16 KG

HiPSTER 輸入

供電電源:單相,100-240 VAC,50/60 Hz
功耗:230V@0.3A
直流充電輸入:1000V(max)
觸發(fā)輸入:5V CMOS
遠(yuǎn)程通信:RS-232

正脈沖指標(biāo)

輸出峰值電壓:300 V
輸出脈沖寬度:1.5 us? ~ 500 us
輸出脈沖延遲:1.5 us? ~ 500 us(基于負(fù)脈沖結(jié)束)

HiPSTER 輸出

平均功率:6000W
峰值電流:1000A
調(diào)整模式:電壓、電流、功率、脈沖電流
脈沖頻率:50 – 10 KHz (外部觸發(fā)時(shí),重復(fù)頻率范圍更寬)
起弧控制:< 2 us 反應(yīng)時(shí)間

負(fù)脈沖指標(biāo)

輸出峰值電壓:1000 V
輸出峰值電流:600 A
輸出脈沖寬度:3.5 us? ~ 1000 us

Hipster尺寸

19寸機(jī)箱(3U)
135 mm (H) x 483 mm (W) x 390mm (D)
凈重:16 KG

HiPSTER 輸入

供電電源:單相,100-240 VAC,50/60 Hz
功耗:230V@0.3A
直流充電輸入:1000V(max)
觸發(fā)輸入:5V CMOS
遠(yuǎn)程通信:RS-232

正脈沖指標(biāo)

輸出峰值電壓:300 V
輸出脈沖寬度:1.5 us? ~ 500 us
輸出脈沖延遲:1.5 us? ~ 500 us(基于負(fù)脈沖結(jié)束)
主要應(yīng)用領(lǐng)域
  • 硬圖層

    得到更加致密、光滑的復(fù)合涂層,可以增加圖層的硬度、減少表面的摩擦以及增加抗腐蝕性

  • 光學(xué)涂層

    通過改善涂層的致密結(jié)構(gòu)和光滑性,大幅度地提高其光學(xué)特性

  • 擴(kuò)散勢(shì)壘(擴(kuò)散屏障)

    通過增加涂層的密度以及均勻性改善擴(kuò)散屏障的效果

  • 電子涂層

    既增加器件的導(dǎo)電性,同時(shí)又能降低涂層的厚度和熱效應(yīng);還能保證電氣的高壓隔離

  • 3D涂層

    在復(fù)雜形狀的基材上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜

實(shí)測波形